產品介紹

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MP1916 是一款 MOSFET 驅動器，它能夠以低柵極電壓驅動半橋或同步應用中的增強型氮化鎵 (GaN) MOSFET 和 N 溝道 MOSFET。該器件具有獨立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脈寬調制 (PWM) 輸入。

MP1916 運用 MPS 特有自舉 (BST) 技術提供 HS-FET 驅動電壓，其最高工作電壓可達 100V。BST 充電技術可防止 HS-FET 驅動電壓超過電源電壓 (VCC)，從而避免柵極電壓 (VGATE) 超過增強型 GaN MOSFET 的最大柵源電壓 (VGS) 額定值。

MP1916 具有兩個獨立的柵極，通過向柵極環路添加阻抗，可分別控制 MOSFET 的導通和關斷速度。

MP1916 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封裝。

產品特性和優勢

獨立上管 (HS) 和下管 (LS) 邏輯輸入

上管MOSFET (HS-FET) 浮動偏置電壓軌最高工作電壓達 100VDC

獨立柵極輸出實現可調導通和關斷速度控制

4.5V 至 5.5V 電源電壓 (VCC) 范圍

0.2Ω 下拉電阻和 1.3Ω 上拉電阻

快速傳播時間（17ns典型值）

出色的傳播延遲匹配（1.5ns典型值）

采用 WLCSP-12L（2mmx2mm）封裝