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Vishay推出600 V EF系列快速體二極管MOSFET,為功率轉換應用提供業界最低FOM指標

Vishay推出600 V EF系列快速體二極管MOSFET,為功率轉換應用提供業界最低FOM指標

——— 第四代N溝道器件降低導通和開關損耗,提高能效
2020/12/23 13:32:13

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導通電阻比其前代器件低29 %,為通信、工業、計算和企業級電源應用提供高效解決方案,同時柵極電荷下降60 %,從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉換應用中600 V MOSFET的重要優值系數(FOM)創業界新低。

20201223_SiHH070N60EF.jpg

Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統。隨著SiHH070N60EF的推出,以及即將發布的第四代600 V EF系列產品,Vishay可滿足電源系統架構設計前兩個階段提高能效和功率密度的要求—包括圖騰柱無橋功率因數校正(PFC)和軟切換DC/DC轉換器拓撲結構。


SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超結技術,10 V條件下典型導通電阻僅為0.061 Ω,超低柵極電荷降至50 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC,比同類最接近的MOSFET低30 %。這些參數表明導通和開關損耗降低,從而節省能源。SiHH070N60EF有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別僅為90 pf和560 pF,可改善零電壓開關(ZVS)拓撲結構開關性能,如LLC諧振轉換器。器件的Co(tr) 比同類緊隨其后的MOSFET低32 %。


日前發布的器件采用PowerPAK? 8x8封裝,符合RoHS標準,無鹵素,耐受雪崩模式過壓瞬變,并保證極限值100 %通過UIS測試。


SiHH070N60EF現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為10周。


VISHAY簡介

Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產品制造商之一,這些產品對于汽車、工業、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫療市場的創新設計至關重要。服務于全球客戶,Vishay承載著科技基因——The DNA of tech?。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業”。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com


PowerPAK是Siliconix公司注冊商標

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李娜
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