利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（即FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
在電磁爐中，IGBT是一個(gè)損壞占有率很大的元器件，在沒(méi)有查明故障原因的時(shí)候就試機(jī)，會(huì)引起IGBT再次損壞。
標(biāo)簽：
IGBT
入網(wǎng)時(shí)間：2022-04-11
在此大背景下，元存推出了一系列產(chǎn)品，通過(guò)AIoT將傳統(tǒng)的生產(chǎn)模式轉(zhuǎn)化為智能化、定制化和服務(wù)化的生產(chǎn)方式；整合現(xiàn)有生產(chǎn)資源、銷(xiāo)售渠道和大數(shù)據(jù)，搭建能快速滿(mǎn)足市場(chǎng)需求、減少成本浪費(fèi)的新型制造產(chǎn)業(yè)，從而實(shí)現(xiàn)全面自動(dòng)化智能生產(chǎn)的目標(biāo)。
標(biāo)簽：
金勝電子
固態(tài)硬盤(pán)
AIoT
入網(wǎng)時(shí)間：2022-04-11
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是總線(xiàn)電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件，IGBT在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導(dǎo)通特性，同時(shí)擁有與MOSFET十分相的柵極結(jié)構(gòu)，能實(shí)現(xiàn)輕松控制。
標(biāo)簽：
IGBT
入網(wǎng)時(shí)間：2022-04-08
制作一顆硅晶圓需要的半導(dǎo)體設(shè)備大致有十個(gè)，它們分別是單晶爐、氣相外延爐、氧化爐、磁控濺射臺(tái)、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、光刻機(jī)、離子注入機(jī)、引線(xiàn)鍵合機(jī)、晶圓劃片機(jī)、晶圓減薄機(jī)。
IGBT作為功率器件，在逆變器中承擔(dān)著功率變換和能量傳輸?shù)淖饔?，是逆變器的心臟。同時(shí)，IGBT又是逆變器中最不可靠的元器件之一，對(duì)器件的溫度和電流非常敏感，稍有超標(biāo)便會(huì)炸機(jī)且不可修復(fù)。