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富士電機(jī)超結(jié)功率(Superjunction)

富士電機(jī)超結(jié)功率(Superjunction)

——— MOSFET“Super J MOS® S2/S2FD系列”

富士電機(jī)株式會社,富士電機(jī)(中國)有限公司正式發(fā)售功率半導(dǎo)體的最新產(chǎn)品——超結(jié)功率※MOSFET“Super J MOS® S2/S2FD系列”,特此通知。

※一種MOSFET(場效應(yīng)晶體管)結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的平面式結(jié)構(gòu)相比,可降低單位面積的電阻。

1.背景
功率半導(dǎo)體是實現(xiàn)節(jié)能或穩(wěn)定供電的關(guān)鍵器件,多被嵌入UPS、功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備、通訊設(shè)備及家電產(chǎn)品等各類電氣產(chǎn)品中。
近年來,隨著全球能源需求的不斷擴(kuò)大,對節(jié)能的要求也日益提高。據(jù)預(yù)測,能夠減少搭載設(shè)備耗電的超結(jié)功率MOSFET在2016年將達(dá)到1200億日元的市場規(guī)模,并將以14%的速度逐年遞增(出處:IMS)。
此次,我公司正式發(fā)售一款同以往的產(chǎn)品相比能夠減少電流阻礙,從而實現(xiàn)節(jié)能的最新產(chǎn)品“Super J MOS® S2/S2FDx系列”。

2.產(chǎn)品特點
(1)降低通電時的電阻,實現(xiàn)搭載設(shè)備節(jié)能
和以往的產(chǎn)品(S1系列)相比,S2系列在相同芯片面積下通電時的電阻降低近25%。這將有助于實現(xiàn)搭載設(shè)備的節(jié)能,節(jié)約用電成本。


(2)實現(xiàn)內(nèi)置二極管的快速恢復(fù),減少開關(guān)損耗
S2FD系列的內(nèi)置二極管開關(guān)所需時間(恢復(fù)時間)較S2系列縮短了近50%。在使用內(nèi)置二極管的變頻器電路等產(chǎn)品中應(yīng)用本產(chǎn)品,不僅可以減少開關(guān)操作時的電能損耗,還能控制開關(guān)時瞬間產(chǎn)生的過電壓(電涌電壓)。這些特點將有助于實現(xiàn)搭載設(shè)備的節(jié)能,提高產(chǎn)品的可靠性。


3產(chǎn)品規(guī)格


產(chǎn)品系列

內(nèi)置二極管

額定電壓

通態(tài)電阻

額定電流

S2系列

普通

600V

380mΩ-25mΩ

8A-96A

S2FD系列

快速

600V

170mΩ-27mΩ

18A-96A

4應(yīng)用對象
UPS、功率調(diào)節(jié)器、EV用快速充電器、服務(wù)器或通信基站、LED照明等

5.發(fā)售時間
即日

6.產(chǎn)品相關(guān)問題的咨詢處
富士電機(jī)(中國)有限公司 ?半導(dǎo)體營業(yè)本部 ?半導(dǎo)體營業(yè)部
?+86-21-5496-1177


【參考資料】產(chǎn)品陣容以及主要規(guī)格 
Super J MOS ® S2系列


額定電壓
VDS (V)

通態(tài)電阻
Ron(mΩ)

額定電流
ID (A)

封裝

TO-220

TO-220F

TO-3P

TO-247

600

380

8.1

FMP60N380S2

FMV60N380S2



280

10.4

FMP60N280S2

FMV60N280S2

FMH60N280S2


190

15.5

FMP60N190S2

FMV60N190S2

FMH60N190S2

FMW60N190S2

160

17.9

FMP60N160S2

FMV60N160S2


FMW60N160S2

125

22.7

FMP60N125S2

FMV60N125S2


FMW60N125S2

99

29.2

FMP60N099S2

FMV60N099S2


FMW60N099S2

88

32.8

FMP60N088S2

FMV60N088S2


FMW60N088S2

79

37.1

FMP60N079S2

FMV60N079S2


FMW60N079S2

70

39.4


FMV60N070S2


FMW60N070S2

55

49.9




FMW60N055S2

40

66.2




FMW60N040S2

25

95.5




FMW60N025S2

Super J MOS ® S2FD系列


額定電壓
VDS (V)

通態(tài)電阻Ron(mΩ)

額定電流
ID (A)

封裝

TO-220

TO-220F

TO-247

600

170

17.9

FMP60N170S2FD

FMV60N170S2FD

FMW60N170S2FD

133

22.7

FMP60N133S2FD

FMV60N133S2FD

FMW60N133S2FD

105

29.2

FMP60N105S2FD

FMV60N105S2FD

FMW60N105S2FD

94

32.8

FMP60N094S2FD

FMV60N094S2FD

FMW60N094S2FD

84

37.1

FMP60N084S2FD

FMV60N084S2FD

FMW60N084S2FD

75

39.4


FMV60N075S2FD

FMW60N075S2FD

59

49.9



FMW60N059S2FD

43

66.2



FMW60N043S2FD

27

95.5



FMW60N027S2FD

Super J MOS®為富士電機(jī)的注冊商標(biāo)。


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