????富士電機株式會社，富士電機（中國）有限公司，即將發售功率半導體的新產品—高速分立器件IGBT※“High-Speed W系列”，特發通知。

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※分立器件：晶體管或二極管等單一功能的半導體元器件
IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管）

1．背景
功率半導體是一種有助于節能或穩定供電的重要元器件，普遍應用于變頻器、不間斷電源裝置、功率調節器等工業裝備以及電動及混合動力汽車、通訊器材等。
根據預測，使用分立器件IGBT的工業裝備和通訊器材的市場規模將于2016年達到約500億日元，之后將以年均5％的速度穩步增長。（數據來源：IMS）。
近年來，隨著全球能源需求的增長，市場對這些工業或通訊器材的節能需求也日益提高，同時還極力追求機器本身的小型化、節約占地面積。
此次發售的高速分立器件IGBT產品便吻合了上述市場需求。

2．產品特點
（1）降低電耗、促進節能
功率半導體通過反復不停的開關（電氣的開/關切換）操作將直流轉換成交流，并進行電壓控制等。本次發售的新產品由于做到了IGBT芯片的薄型化和微細化，較以往產品（High-Speed V系列）相比，開關動作時的電耗（關斷損耗）減少了大約40%，從而實現了機器設備的節能和電力成本下降。

（2）實現機器小型化
　  通過降低開關動作時的損耗（控制發熱量），較以往產品（20kHz左右）相比可以對應更高的開關頻率※（20kHz~100kHz）。由此實現了機器設備外圍部件（線圈、變壓器）的小型化、機器設備本身的小型化和整體成本的降低。

※每1秒鐘開/關切換的次數

3．產品規格和發售時期

4．產品咨詢部門
富士電機（中國）有限公司 半導體營業本部 半導體營業部
?+86-21-5496-1177

Ext.3503

【參考】產品陣容和主要規格