富士電機株式會社，富士電機（中國）有限公司 ，即將擴充裝載新一代功率半導體元件SiC（碳化硅）的混合模塊產品系列，并開始樣品出貨，特發通知。
　

1. 目的
與Si（硅)元件相比，SiC元件更容易實現高耐壓，且開關損耗小，所以在降低裝置電耗方面備受矚目，預計全球市場今后五年的年均增長率※1將達到35％左右。
本次的出貨樣品是由使用SiC元件的SBD（肖特基勢壘二極管）和使用Si元件的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）構成的混合模塊。產品系列從600V～1200V、乃至1700V，可廣泛應用于各種工業機械的節能和小型化。

※1 數據來源 : IHS 2014。自2014年起五年的年均增長率。
?本模塊采用的SiC元件中運用了本公司在自2012年度起參與“TPEC（筑波電力電子星座）”共同研究體后、與國立研究開發法人產業技術綜合研究所共同研究的成果。

2. 產品特點

產品的動作頻率最大可提升至2倍（1700V產品），且損耗保持不變。過濾器等周邊元器件也因此可實現小型化。
憑借上述優點，產品可節約設備的占地空間。

（3）產品齊全，應用廣泛
產品系列得到擴充與完善，包括600V、1200V和1700V等從小到大各種不同容量的產品。
可廣泛運用于變頻器、伺服、不間斷電源裝置、功率調節器等工業機械。

3. 產品規格、出貨和銷售時期

※3 PIM（Power Integrated Module）: 是指將三相整流橋、制動器、三相變頻器電路封裝成一個模塊的電路。

4. 銷售目標
2018年度　30億日元　

5. 產品咨詢部門
富士電機（中國）有限公司 半導體營業本部 半導體營業部

?021-5496-1177

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